HN58V256ATI12E

256k EEPROM(32-kwordx8-bit)

品牌名称: Rochester Electronics(罗彻斯特)
商品型号: HN58V256ATI12E
商品编号: C21015848
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	10年
	写周期寿命	10万次
	功能特性	软件写保护功能；掉电/上电保护电路；硬件写保护功能；噪声抑制功能
	工作电压	2.7V~5.5V
	工作温度	0℃~+70℃

商品概述

瑞萨科技的HN58V256A和HN58V257A是电可擦除可编程只读存储器，组织形式为32768字×8位。它们采用先进的MNOS存储技术、CMOS工艺和电路技术，实现了高速、低功耗和高可靠性。它们还具备64字节页编程功能，使写入操作更快。

商品特性

单3V电源：2.7至5.5V
访问时间：最大120ns
功耗：活动状态20mW/MHz（典型值）；待机状态110μW（最大值）
片上锁存器：地址、数据、CE（上划线）、OE（上划线）、WE（上划线）
自动字节写入：最大10ms
自动页写入（64字节）：最大10ms
就绪/忙信号（仅HN58V257A系列）
数据轮询和Toggle位
电源开关数据保护电路
符合JEDEC字节宽标准
采用MNOS单元技术的可靠CMOS
10⁵次擦除/写入周期（页模式）
10年数据保留
软件数据保护
通过RES引脚进行写入保护（仅HN58V257A系列）
提供工业版本（温度范围：-20至85℃和-40至85℃）
也有无铅产品

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	-
	存储容量	256Kbit
	时钟频率(fc)	-
	写周期时间(Tw)	10ms