AT45DQ321-MHF2B-T

AT45DQ321 是一款最低工作电压为2.3V的串行接口顺序访问闪存，非常适用于各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。该器件还支持双I/O、四I/O以及RapidS串行接口，以满足需要极高速度操作的应用需求。其34，603，008位存储器被组织为8，192页，每页512或528字节。除了主存储器外，AT45DQ321还包含两个SRAM缓冲区，每个大小为512/528字节。这些缓冲区允许在主存储器页面被重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错操作可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统暂存存储器，并且通过自包含的三步读-修改-写操作可以轻松处理E²PROM仿真（位或字节可修改性）。与使用多地址线和并行接口进行随机访问的传统闪存不同，该器件使用串行接口顺序访问其数据。这种简单的顺序访问大大减少了有效引脚数量，简化了硬件布局，提高了系统可靠性，最大限度地减少了开关噪声，并缩小了封装尺寸。该器件经过优化，适用于许多对高密度、低引脚数、低电压和低功耗有严格要求的商业和工业应用。为了实现简单的系统内重新编程，AT45DQ321不需要高输入电压进行编程。该器件在2.3V至3.6V的单电源供电下执行擦除、编程和读取操作。AT45DQ321通过片选引脚（CS）使能，并通过由串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问。所有编程和擦除周期都是自定时的。

• 单电源供电：2.3V ~ 3.6V
• 兼容串行外设接口（SPI）
• 支持SPI模式0和3
• 支持RapidS操作
• 支持双输入和四输入缓冲区写入
• 支持双输出和四输出读取
• 极高的工作频率：104MHz（SPI模式），70MHz（双I/O和四I/O模式）
• 时钟到输出时间（tV）最大7ns
• 用户可配置页面大小：512字节每页，528字节每页（默认），页面大小可在出厂时预配置为512字节
• 两个完全独立的SRAM数据缓冲区（512/528字节），允许在主存储器阵列重新编程时接收数据
• 灵活的编程选项：字节/页编程（1至512/528字节）直接到主存储器，缓冲区写入，缓冲区到主存储器页编程
• 灵活的擦除选项：页擦除（512/528字节），块擦除（4KB），扇区擦除（64KB），芯片擦除（32-Mbit）
• 编程和擦除挂起/恢复功能
• 先进的硬件和软件数据保护功能：独立扇区保护，独立扇区锁定可使任何扇区永久只读
• 128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器：64字节出厂编程为标识符，64字节用户可编程
• 硬件和软件控制的复位选项
• JEDEC标准制造商和设备ID读取
• 低功耗：典型值500nA超深度掉电电流，3μA深度掉电电流，25μA待机电流，7mA有效读取电流
• 耐久性：每页至少100，000次编程/擦除周期
• 数据保持：20年
• 符合完整工业温度范围
• 绿色（无铅/无卤化物/RoHS兼容）封装选项：8引脚SOIC（0.208英寸宽），8焊盘超薄DFN（5×6×0.6mm），8焊盘超薄DFN（6×8×1.0mm）

• 数字音频播放器
• 数码相机
• 语音录音机
• 无线通信设备
• 工业控制
• 医疗设备
• 汽车电子