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A4915MLPTR-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A4915MLPTR-T

无刷直流BLDC电机驱动芯片 5.5V

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描述
A4915专为三相无刷直流电机的脉冲宽度调制(PWM)电流控制而设计。A4915能够为6个全N沟道功率MOSFET提供大电流栅极驱动。内部电荷泵可确保在低至7 V的电源电压下实现栅极驱动,并在低至5 V的电压下提供有限的栅极驱动
商品型号
A4915MLPTR-T
商品编号
C2150677
商品封装
TSSOP-28-EP​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
工作电压-
属性参数值
工作温度-20℃~+105℃

商品概述

A4915专为三相无刷直流电机的脉冲宽度调制(PWM)电流控制而设计。A4915能够为6个全N沟道功率MOSFET提供高电流栅极驱动。内部电荷泵可确保在低至7 V的电源电压下实现栅极驱动,并在低至5 V时提供有限的栅极驱动。自举电容用于产生高于高端MOSFET源极电压的电源电压,这是N沟道MOSFET所必需的。 内部提供同步整流控制电路,以改善PWM操作期间外部MOSFET的功耗。内部电路保护包括锁存式热关断、死区时间保护和欠压锁定。无需特殊的上电时序。 A4915采用带外露散热焊盘的28引脚TSSOP封装(后缀LP)和带外露散热焊盘的28引脚5×5 mm QFN封装(后缀ET)。这些封装为无铅(Pb)封装,引脚框架采用100%雾锡电镀。 A4915是一款三相MOSFET驱动器,旨在驱动高电流MOSFET。它专为低压操作至关重要的电池供电设备而设计。A4915还具有低电流睡眠模式,可禁用器件并使电源电流消耗降至最低。A4915能够驱动6个N沟道MOSFET。换向逻辑包括用于外部PWM控制的使能、方向和制动模式。 提供一个速度输入,允许外部信号以典型30 kHz的频率对桥路进行PWM控制。通过向SPEED引脚施加0 V至VDD的模拟电压来控制PWM占空比。

商品特性

  • 5至50 V电源电压
  • 带故障输出的锁存式热关断(TSD)
  • 驱动六个N沟道高电流MOSFET
  • 内部控制的同步整流
  • 速度电压输入可实现全桥内部PWM占空比控制
  • 中心对齐PWM
  • 内部欠压锁定(UVLO)和交叉电流保护
  • 霍尔开关输入
  • 可调死区时间保护
  • 适用于电池供电应用的低功耗睡眠模式

数据手册PDF