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CY15B108QN20BFXITXUMA1

8Mb低功耗铁电随机存取存储器，串行SPI接口，1024Kx8，40MHz，工业级

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B108QN20BFXITXUMA1
商品编号: C21005670
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

EXCELON™ LP CY15X108QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗8Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年的可靠数据保存能力，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X108QN以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性。CY15X108QN能够支持10^15次读写循环，比EEPROM的写循环次数多100亿倍。这些特性使CY15X108QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。其应用范围从对写循环次数要求严格的数据采集，到对串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失有严格要求的工业控制。CY15X108QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

商品特性

8Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为1024K × 8
几乎无限的耐久性，1000万亿（10^15）次读写
151年数据保存能力
英飞凌即时非易失性写入技术
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口（SPI）
最高40MHz频率
支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
复杂的写保护方案
使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
使用写禁用（WRDI）指令进行软件保护
对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
设备ID和序列号
制造商ID和产品ID
唯一设备ID
序列号
专用256字节特殊扇区F-RAM
专用特殊扇区读写
存储内容可承受多达三次标准回流焊接周期
低功耗
40MHz时典型工作电流2.6mA
典型待机电流3.5μA
典型深度掉电模式电流0.90μA
典型休眠模式电流0.1μA
低电压操作
CY15V108QN：VDD = 1.71V至1.89V
CY15B108QN：VDD = 1.8V至3.6V
商业和工业工作温度
商业工作温度：0°C至+70°C
工业工作温度：-40°C至+85°C
封装
8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
8引脚网格阵列四方扁平无引脚（GQFN）封装（不推荐用于新设计）
8引脚超薄细间距焊盘网格阵列（UFLGA）封装
符合有害物质限制（RoHS）标准

应用领域

数据采集
工业控制

数据手册PDF

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