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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,15A | |
| 功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.6nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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