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SIF5N65F/TO-252
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 品牌名称
- SI(深爱)
- 商品型号
- SIF5N65F/TO-252
- 商品编号
- C2149426
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该器件适用于作为负载开关和PWM应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 2.4 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- 电子烟、电动工具