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SIF4N65F/T0-252
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 导通电阻RDS(ON)典型值 = 5.0 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10 V
- 采用CRM（CQ）先进沟槽MOS技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅电荷Qgx导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）