MR28F010-90

1024K CMOS闪存存储器

品牌名称: Rochester Electronics(罗彻斯特)
商品型号: MR28F010-90
商品编号: C20975131
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

Intel的28F010 CMOS闪存为读写随机存取非易失性存储器提供了最具成本效益和可靠性的选择。它在熟悉的EPROM技术基础上增加了电芯片擦除和重新编程功能。内存内容可在测试插座、PROM编程器插座、子组件测试时的板载、最终测试时的系统内以及售后的系统内进行重写。28F010是一个1024千位非易失性存储器，组织为131,072个8位字节。它采用32引脚塑料双列直插式或32引脚PLCC和TSOP封装，引脚分配符合JEDEC标准。其ETOX工艺技术设计了扩展的擦除和编程循环能力，先进的氧化物处理、优化的隧道结构和较低的电场相结合，使可靠循环次数超过传统EEPROM。它采用先进的CMOS电路，具有高性能访问速度、低功耗和抗噪声能力，65纳秒的访问时间为各种微处理器和微控制器提供无等待状态性能，最大待机电流为100μA，通过独特的EPI处理实现了最高程度的闩锁保护。

商品特性

典型芯片擦除时间为1秒
快速脉冲编程算法，典型字节编程时间为10μs，芯片编程时间为2秒
100,000次擦除/编程循环
Vpp为12.0V ±5%
高性能读取，最大访问时间为65ns
CMOS低功耗，典型工作电流为10mA，典型待机电流为50μA，数据保留功耗为0瓦
集成编程/擦除停止定时器
命令寄存器架构，与微处理器/微控制器兼容的写入接口
抗噪声特性，±10% VCC容差，通过EPI处理实现最大闩锁免疫
ETOXTM非易失性闪存技术，基于EPROM兼容工艺，有大量制造经验
JEDEC标准引脚排列，32引脚塑料双列直插式、32引脚PLCC和32引脚TSOP封装
扩展温度选项

应用领域

替代磁盘、EEPROM和电池备份静态RAM
替代EPROM用于需要定期更新代码和数据表的场景
用于无盘工作站和终端
用于嵌入式系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	1Mbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	待机电流	50uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	写周期时间(Tw)	90ns
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	写使能锁存；软件写保护；上电复位