IS49NLS18160A-25WBL
288Mb 独立 I/O RLDRAM 2 内存，533MHz DDR 操作
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS49NLS18160A-25WBL
- 商品编号
- C20957587
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x18）
- 缩短周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0℃ to +95℃）；工业级（TC = -40℃ to +95℃；TA = -40℃ to +85℃）
- IS49NLS18320A-25EWBLI
- IS49NLS18320A-25WBLI
- IS49NLS96400A-18WBL
- IS4R-120A-R-50K
- ISL267450AIHZ-T
- ISL28107SOICEVAL1Z
- ISL32493EIUZ
- ISL43141IRZ
- ISL43410IUZ-T
- ISL80121-5EVAL2Z
- ISLA214P12IRZ
- ITA-EM-NC22-F0A1E
- IW-G18M-SM1S-3D256M-N256M-BI
- IW-G37M-SM04-4L001G-E008G-BIA
- IXD1415BB01ER-G
- IXD1415GG26MR-G
- IXD1415GG37MR-G
- IXD1415GG56MR-G
- IXD1504A1219R-G
- IXD1504A1717R-G
- JA06A-22-14S-J1-R