- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
这些器件采用 SuperMESH3 功率 MOSFET 技术制造,该技术是通过对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH 技术进行改进,并结合新的优化垂直结构而获得的。由此得到的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其特别适用于要求最苛刻的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- STL18NM60N
- STEVAL-ILL006V1
- STEVAL-ISB037V1
- STEVAL-MKI223V1K
- STK650-513-E-SY
- STMM-104-01-G-D-RA
- STMM-120-01-G-D-SM-LC-K-TR
- STR1-SASF0AC5
- STR750-EVAL
- SVF06-3,81-K
- SVF10-3,50
- SVF18-3,81-K
- SVP19-3,50-K
- SVP19-3,81
- SVR12-5,00-DR
- SW-PB7-03LB5CFRB24V
- SW-PB7-03LB5CFRW24V
- SW-PB7-03LB5CFRW6V
- SW-PB7-1S-A-RY-H-4-G2A
- SXO32C3C161-32.768K
- SXO32C3C171-32.768K