商品参数
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商品概述
这些器件采用 SuperMESH3 功率 MOSFET 技术制造,该技术是通过对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH 技术进行改进,并结合新的优化垂直结构而获得的。由此得到的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其特别适用于要求最苛刻的应用场景。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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这些器件采用 SuperMESH3 功率 MOSFET 技术制造,该技术是通过对意法半导体(STMicroelectronics)的 SuperMESH 技术进行改进,并结合新的优化垂直结构而获得的。由此得到的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其特别适用于要求最苛刻的应用场景。