STD3LN62K3

这些器件采用 SuperMESH3 功率 MOSFET 技术制造，该技术是通过对意法半导体（STMicroelectronics）的 SuperMESH 技术进行改进，并结合新的优化垂直结构而获得的。由此得到的产品具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其特别适用于要求最苛刻的应用场景。

• 100% 雪崩测试
• 极高的 dv/dt 能力
• 极低的本征电容
• 改善的二极管反向恢复特性
• 齐纳保护

• 开关应用