R1QHA3618CBG-25IB0

R1Q#A3636 是一款 1,048,576 字×36 位的同步双倍数据速率静态随机存取存储器（SRAM），R1Q#A3618 是一款 2,097,152 字×18 位的同步双倍数据速率静态随机存取存储器。它们采用先进的 CMOS 技术，使用全 CMOS 六晶体管存储单元制造。该存储器集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有输入寄存器由输入时钟对（K 和 /K）控制，并在 K 和 /K 的上升沿锁存。这些产品适用于需要同步操作、高速、低电压、高密度和宽位配置的应用。这些产品采用 165 引脚塑料 FBGA 封装。H 表示延迟 = 2.0，无片上终结（ODT）；# = L 表示延迟 = 2.0，有片上终结（ODT）。

• 电源：核心电压（VDD）为 1.8V，I/O 电压（VDDQ）为 1.4V 至 VDD。
• 时钟：快速时钟周期时间，实现高带宽；两个输入时钟（K 和 /K），仅在时钟上升沿实现精确的 DDR 时序；两个输出回波时钟（CQ 和 /CQ），简化高速系统中的数据捕获；具有微秒级重启的时钟停止功能。
• I/O：通用数据输入/输出总线；流水线双倍数据速率操作；HSTL I/O；用户可编程输出阻抗；DLL/PLL 电路，实现宽输出数据有效窗口和未来频率扩展；数据有效引脚（QVLD），指示输出上的有效数据。
• 功能：两节拍突发，适用于低 DDR 事务大小；内部自定时写控制；简单的控制逻辑，便于深度扩展；JTAG 1149.1 兼容测试访问端口。
• 封装：165 FBGA 封装（15×17×1.4mm）。

• 同步操作应用
• 高速应用
• 低电压应用
• 高密度应用
• 宽位配置应用