N04L163WC1AT2-70I

4Mb超低功耗异步CMOS SRAM 256K×16bit

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: N04L163WC1AT2-70I
商品编号: C20907270
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

N04L163WC1A是一款集成内存设备，包含一个4 Mbit的静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位。该设备采用AMI半导体公司的先进CMOS技术设计和制造，兼具高速性能和超低功耗。该设备通过单芯片使能（CE）控制和输出使能（OE）运行，便于内存扩展。字节控制（UB和LB）允许独立访问上字节和下字节。N04L163WC1A非常适合对低功耗要求较高的各种应用，如电池备份和手持设备。该设备可在-40℃至+85℃的极宽温度范围内运行，采用JEDEC标准封装，与其他标准的256Kb×16 SRAM兼容。

商品特性

单宽电源电压范围为2.3至3.6伏
3.0V时典型待机电流极低，为4.0μA
工作电流极低，3.0V和1μs时典型值为2.0mA
页面模式工作电流极低，3.0V和1μs时典型值为0.8mA
内存控制简单
单芯片使能（CE）
字节控制，可独立进行字节操作
输出使能（OE），用于内存扩展
低电压数据保持，VCC = 1.8V
输出使能访问时间极快，OE访问时间为25ns
自动进入待机模式
TTL兼容三态输出驱动器
提供节省空间的紧凑型BGA封装
符合RoHS标准

应用领域

电池备份
手持设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit
	工作电压	2.3V~3.6V
	读写时间	70ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	10mA
	待机电流	4uA
	功能特性	自动掉电功能