R1LV1616RSD-7UR#B0
宽温度范围版本16M SRAM
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1LV1616RSD-7UR#B0
- 商品编号
- C20903019
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 8uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
R1LV1616H - I系列是16兆位静态随机存取存储器，组织形式为1兆字×16位/2兆字×8位。该系列采用CMOS工艺技术（6晶体管存储单元），实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。它具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。它采用48引脚塑料TSOPI封装，适用于高密度表面贴装。
商品特性
- 单3.0V电源：2.7V至3.6V
- 快速访问时间：45/55ns（最大）
- 功耗：
- 工作状态：9mW/MHz（典型）
- 待机状态：1.5μW（典型）
- 完全静态存储器
- 无需时钟或定时选通
- 访问时间和周期时间相等
- 数据输入输出共用
- 三态输出
- 电池备份操作
- 电池备份有2个芯片选择
- 温度范围：-40至+85°C
- 通过BYTE#和A - 1可实现字节功能（×8模式）
- R2CT115000
- R948052000
- RAHPCUB20
- RAZ-2405S-R
- RCE5C2A822J2K1H03B
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- RCE5C3A271J2K1H03B
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- RCER73A223K3M1H03A
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- RDE5C2J150J2M1H03A
- RDE5C3A821J2M1H03A
- RDER72E105K5E1H03A
- RDS1A-30