MD2764A-25/B
64K(8Kx8)UV可擦除PROM
- 商品型号
- MD2764A-25/B
- 商品编号
- C20893424
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
英特尔M2764A是一款仅需5V供电的65,536位紫外线可擦除且电可编程只读存储器(EPROM)。它是M2764的升级版,采用英特尔的HmosII - E技术制造,该技术显著减小了芯片尺寸,并极大地提高了器件的性能、降低了功耗、增强了可靠性和可生产性。与M2764相比,M2764A还降低了功耗,最大工作电流为100 mA,最大待机电流仅为40 mA,待机模式在不增加访问时间的情况下降低了功耗。M2764A设计了一些先进功能,如智能编程算法和智能识别模式,可实现快速可靠的编程。所有英特尔高密度EPROM都具备两线控制和JEDEC批准的28引脚封装等标准特性,这确保了与微处理器的轻松接口,并在升级、添加或选择非易失性存储器时减少设计工作量。
商品特性
- 快速访问时间:M2764A - 25为250 ns,M2764A - 25为350 ns
- HMOS II - E技术
- 低功耗,最大工作电流100 mA,最大待机电流40 mA
- 与M2764、M27128A、M27256兼容
- 智能编程算法,实现最快的EPROM编程
- 智能识别模式,实现自动化编程操作
- 两线控制
- 提供±10%的Vcc容差
- MD801-007-16M10-26PF
- MD801-007-16M13-37PF
- MD801-007-16M7-10SC
- MD801-007-16M8-13SF
- MD801-007-16MT10-26SB
- MD801-007-16NF13-2SE
- MD801-007-16NF5-3PF
- MD801-007-16NF5-3SB
- MD801-007-16NF6-4PF
- MD801-007-16NF6-4SB
- MD801-007-16NF6-7SF
- MD801-009-07M13-2PD
- MD801-009-07NF13-2PA
- MD801-009-07NF5-3PF
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- MDD95-14N1B
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- MHBBWT-0000-000C0BE265E-SB01
- MHBBWT-0000-000N0BE465E
- MHC6-6/10-4B1

