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IS49NLC93200A-18WBL实物图
  • IS49NLC93200A-18WBL商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IS49NLC93200A-18WBL

Common I/O RLDRAM 2 Memory，533MHz DDR 操作，差分输入时钟，数据有效信号

品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS49NLC93200A-18WBL
商品编号
C20874120
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品特性

  • 533MHz DDR操作（1.067Gb/s/引脚数据速率）
  • 38.4Gb/s峰值带宽（在533MHz时钟频率下为x36）
  • 减少周期时间（533MHz时为15ns）
  • 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
  • 8个内部存储体
  • 非复用地址（提供地址复用选项）
  • SRAM型接口
  • 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
  • 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
  • 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
  • 差分输入时钟（CK、CK#）
  • 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
  • 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
  • 数据有效信号（QVLD）
  • HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
  • 25 - 60Ω匹配阻抗输出
  • 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
  • 片上终端（ODT）RTT
  • 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
  • 工作温度：商业级（TC = 0°C至 +95°C）；工业级（TC = -40°C至 +95°C；TA = -40°C至 +85°C）

数据手册PDF

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