商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ | |
| 漏源电流(Idss) | 70A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.57nF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用先进的DMOS沟槽技术。
- 开关速度快。
- 提高dv/dt能力。
- 100%保证EAS。
- 有环保器件可供选择。
- CMS75P06CT-HF
- CMU1003-0000-00PN0U0A35H
- CMU1006-0000-00PN0Z0A30H
- CMU1006-R160-00PN0Z0AL7C
- CMU1010-R160-00PN0U0A35G
- CMU1013-R160-00PN0U0A30G
- CMU1013-R160-00PN0Z0A40H
- CMU1516-R090-00PN0U0A35G
- CMU1516-R090-00PN0Z0A27H
- CMU1519-R090-00PN0U0A50G
- CMU1526-0000-00PN0U0A31Q
- CMU2236-R040-00PN0U0A30H
- CMU2236-R040-00PN0U0A35G
- CMU2258-R040-000P0B0A30E
- CN0029
- CN0966A20A39S7-200
- CN0966A20A41S6Y140
- CN0966B14G07PN-140
- CN0966B18G14P7-140
- CN0966B20G16S8-200
- CN0966B22G55S8-200

