商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 2 | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | 1MHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 12mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 600V/ms | |
| 输入偏置电流(Ib) | 300pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 200pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | 80dB | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 输出电流 | 60mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 单电源电压 | 3V~16V | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | - |
商品概述
TS27x2系列是低成本、低功耗的双运算放大器,设计用于高压单电源或双电源工作。这些运算放大器采用ST硅栅CMOS工艺,由于具有三种不同的功耗,提供了出色的功耗-速度比,使其非常适合低功耗应用。该系列包括三种型号:TS27L2(极低功耗,I_CC=10 μA/放大器)、TS27M2(低功耗,I_CC=150 μA/放大器)和TS272(高速,I_CC=1 mA/放大器)。该器件还具有极高的输入阻抗和极低的输入电流,与JFET器件相比,其主要优势是输入电流随温度的漂移非常低。提供的封装类型包括:N DIP8(塑料封装)、D O-8(塑料微封装)、P SOP8(薄型收缩小外形封装)。
商品特性
- 宽电源电压范围:3至16 V
- 超低功耗:150 μA/运算放大器(典型值)
- 输出电压摆幅至地
- 容性负载下具有出色的相位裕度
- 增益带宽积:1 MHz(典型值)
- 输入偏移电压(Vio)低至2 mV(最大值,B版本)
- 极高的输入阻抗和极低的输入电流
应用领域
- 低功耗应用场景
- TS2951CS50
- TSF20L60C
- TSH-105-01-L-DV-A
- TSH-105-01-T-DH-TR
- TSH-110-01-S-DV-A-TR
- Q-3301Z0001048I
- Q-3302H0001072I
- Q-3303A0001048I
- Q-3303R00012.5M
- Q-330410001.75M
- Q-330410001003I
- Q-330510001.75M
- Q-3400D0003108I
- Q-3400D0005003M
- Q-3400J0003018I
- Q-3400J0003024I
- Q-3400J0005003I
- Q-3400Q0003.25M
- Q-3400V0005.25M
- Q-3401400031.5M
- Q-3401A0003072I


