STF18NM60ND
商品参数
参数完善中
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmeshTM II功率MOSFET采用第二代MDmeshTM技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构,具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 在快速恢复二极管器件中,具备最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用
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