- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF18NM60ND
商品参数
参数完善中
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmeshTM II功率MOSFET采用第二代MDmeshTM技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构,具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 在快速恢复二极管器件中,具备最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用
- STH185N10F3-6
- STM32H747I-DISCO
- STMM-120-01-F-D-SM-LC
- STMP157-SOM-512-IND
- STR1-SAFM0AC8
- STXR40AU00-1414BI
- SVF05-3,50-K
- SVF06-3,50-K
- SVR21-5,00
- SW-PB7-01LB42BFRW36VM
- SW-PB7-03LB22CFPW12V
- SW-PB7-06LB22FFPO110V
- SW-PB7-06LB22FFPR6V
- SW-PB7-06LB22FFPY110V
- SWH.2S.302.CLLPV
- SXO32C3C481-32.768K
- T 3359 320
- T 3424 991
- T 3435 005
- T 3485 018
- T 3505 028