GS4576C36GL-18I

576Mb低延迟DRAM（LLDRAM II）高速内存设备

品牌名称: 广船国际技术
商品型号: GS4576C36GL-18I
商品编号: C20801043
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	ZQ校准功能；内置锁相环；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

GSI Technology 的 576Mb 低延迟 DRAM (LLDRAM II) 是一款高速存储器器件，专为通常存在于网络和电信应用中的高地址速率数据处理而设计。其 8 存储体架构和低 tRC 可实现以往仅见于 SRAM 的访问速率。双倍数据率 (DDR) 输入/输出接口提供高带宽数据传输，在输入/输出引脚处每个时钟周期输出两个数据节拍。源同步时钟可以在主机设备上使用提供的自由运行数据输出时钟来实现。命令、地址和控制信号是单倍数据率信号，由真差分输入时钟的跳变沿输入，而输入数据则在输入数据时钟的两个边沿输入。读写数据传输始终以短突发方式进行。突发长度可通过设置模式寄存器编程为 2、4 或 8。该器件采用 2.5V V_EXT 和 1.8V V_DD 为内核供电，输入/输出驱动器则采用 1.5V 或 1.8V 供电。内部生成的行地址有助于实现按存储体调度的刷新。该器件采用高效的 μBGA 144 引脚封装。

商品特性

引脚和功能与美光 RLDRAM® II 兼容
533 MHz DDR 操作（1.067Gb/s/引脚数据速率）
38.4 Gb/s 峰值带宽（36 位宽，533 MHz 时钟频率）
提供 16M x 36、32M x 18 和 64M x 9 的组织架构
8 个存储体
缩短的周期时间（533 MHz 下为 15 ns）
地址复用（可选非复用地址）
SRAM 型接口
可编程读取延迟 (RL)、行周期时间和突发序列长度
平衡的读写延迟，以优化数据总线利用率
用于写入命令的数据掩码
差分输入时钟（CK，CK（上划线））
差分输入数据时钟（DKx，DKx（上划线））
片内 DLL 生成 CK 边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
数据有效信号 (QVLD)
32 ms 刷新（每个存储体 16K 次刷新；每 32 ms 必须总共发出 128K 次刷新命令）
144 引脚 μBGA 封装
HSTL 输入/输出（1.5V 或 1.8V 标称值）
25Ω ~ 60Ω 匹配阻抗输出
2.5V V_EXT，1.8V V_DD，1.5V 或 1.8V V_DDQ 输入/输出
片上终端 (ODT) R_TT
商业和工业温度范围：商业级 (0°C ≤ T_C ≤ +95°C)，工业级 (-40°C ≤ T_C ≤ +95°C)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	533MHz
	存储容量	576Mbit
	工作电压	1.8V