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AON7752-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- DFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,30V；40A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AON7752-VB
- 商品编号
- C20755713
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑核心-电压调节模块/负载点电源