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IPP320N20N3 G-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:35A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域。TO220；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP320N20N3 G-VB
- 商品编号
- C20755522
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@7.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
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