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NTZD3155CT1G-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:600mA
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=±0.7~±2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTZD3155CT1G-VB
- 商品编号
- C20755414
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA；300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V；660mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@5V；2.4nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-功率放大器开关-DC/DC 转换器