温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ME4565AD4-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ME4565AD4-VB
- 商品编号
- C20755374
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.799nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品特性
- 先进制程技术
- 动态dV/dt额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- P沟道
- 全雪崩额定
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合RoHS标准