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IRFR9214PBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR9214PBF-VB

1个P沟道 耐压:200V 电流:3.6A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单极性P型MOSFET,采用Trench技术,适用于各种功率控制和电源管理应用。TO252;P—Channel沟道,-250V;-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2~-4V;
商品型号
IRFR9214PBF-VB
商品编号
C20755302
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.412克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)700pF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)200pF

商品特性

  • 表面贴装
  • 提供卷带包装
  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定
  • P沟道
  • 快速开关
  • 易于并联
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 智能手机、平板电脑
  • 直流-直流转换器
  • 升压转换器
  • 负载开关、过压保护(OVP)开关

数据手册PDF