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FCPF11N60NT-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，具有优秀的性能和可靠性。采用Plannar技术制造，适用于各种应用场合。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FCPF11N60NT-VB
- 商品编号
- C20755157
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低品质因数(FOM)Ron × Qg
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 原边开关-同步整流-直流/交流逆变器-LED背光