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BSZ035N03MS G-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ035N03MS G-VB
- 商品编号
- C20755011
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个5000个/圆盘
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