HN58V66ATI10E
64k EEPROM，具备就绪/忙碌功能和宽温度范围版本
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HN58V66ATI10E
- 商品编号
- C20733388
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 软件写保护功能；掉电/上电保护电路；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置写使能锁存器(WEL) |
商品概述
HN58V65A系列和HN58V66A系列是电可擦除可编程EEPROM，组织形式为8192字x8位。它们采用先进的MNOS存储技术、CMOS工艺和电路技术，实现了高速、低功耗和高可靠性。它们还具备64字节页编程功能，可加快写入操作速度。
商品特性
- 单电源：2.7至5.5 V
- 访问时间：在2.7 V ≤ VCC < 4.5 V时为100 ns（最大值）；在4.5 V ≤ VCC ≤ 5.5 V时为70 ns（最大值）
- 功耗：
- 工作状态：20 mW/MHz（典型值）
- 待机状态：110 μW（最大值）
- 片上锁存器：地址、数据、CE、OE、WE
- 自动字节写入：10 ms（最大值）
- 自动页写入（64字节）：10 ms（最大值）
- 就绪/忙指示
- 数据查询和Toggle位
- 电源开关时的数据保护电路
- 符合JEDEC字节宽度标准
- 采用MNOS单元技术的可靠CMOS
- 10^5次擦除/写入周期（页模式）
- 10年数据保存期
- 软件数据保护
- 通过RES引脚进行写保护（仅HN58V66A系列）
- 工作温度范围：
- HN58V65AI/HN58V66AI系列：-40至+85 ℃
- HN58V65A - SR/HN58V66A - SR系列：-20至+85 ℃
- 也有无铅产品。
其他推荐