HN58V66ATI10E

HN58V65A系列和HN58V66A系列是电可擦除可编程EEPROM，组织形式为8192字x8位。它们采用先进的MNOS存储技术、CMOS工艺和电路技术，实现了高速、低功耗和高可靠性。它们还具备64字节页编程功能，可加快写入操作速度。

• 单电源：2.7至5.5 V
• 访问时间：在2.7 V ≤ VCC < 4.5 V时为100 ns（最大值）；在4.5 V ≤ VCC ≤ 5.5 V时为70 ns（最大值）
• 功耗：
  • 工作状态：20 mW/MHz（典型值）
  • 待机状态：110 μW（最大值）
• 片上锁存器：地址、数据、CE、OE、WE
• 自动字节写入：10 ms（最大值）
• 自动页写入（64字节）：10 ms（最大值）
• 就绪/忙指示
• 数据查询和Toggle位
• 电源开关时的数据保护电路
• 符合JEDEC字节宽度标准
• 采用MNOS单元技术的可靠CMOS
• 10^5次擦除/写入周期（页模式）
• 10年数据保存期
• 软件数据保护
• 通过RES引脚进行写保护（仅HN58V66A系列）
• 工作温度范围：
  • HN58V65AI/HN58V66AI系列：-40至+85 ℃
  • HN58V65A - SR/HN58V66A - SR系列：-20至+85 ℃
• 也有无铅产品。