- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49RL36160A-107EBLI
576Mb x18、x36 RLDRAM 3
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49RL36160A-107EBLI
- 商品编号
- C20731764
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 1200 MHz DDR操作（2400 Mb/s/球数据速率）
- 组织：约32兆×18和16兆×36通用I/O（CIO）
- 16个存储体
- 1.2V中心端接推挽I/O
- 2.5V V_EXT，1.35V V_DD，1.2V V_DDQ（仅2400操作可选1.35V V_DDQ）
- 减少的周期时间（t_RC（最小值）= 6.67 - 8 ns）
- SDR寻址
- 可编程读写延迟（RL/WL）和突发长度
- 写命令的数据掩码
- 差分输入时钟（CK，CK#）
- 自由运行的差分输入数据时钟（DKx，DKx#）和输出数据时钟（QKx，QKx#）
- 片上DLL生成CK边缘对齐的数据和差分输出数据时钟信号
- 64ms刷新（每64ms 128K刷新）
- 40Ω或60Ω匹配阻抗输出
- 集成片上终端（ODT）
- 单存储体或多存储体写入
- 扩展工作范围（200 - 1200 MHz）
- 读训练寄存器
- 复用和非复用寻址能力
- 镜像功能
- 输出驱动器和ODT校准
- 后封装修复 - 每半个存储体1行
- JTAG接口（IEEE 1149.1 - 2001）
- ISL32493EIUZ-T7A
- ISL80113EVAL1Z
- ITAM-SR01-10A1E
- IW-G18M-SMY2-3D512M-E008G-BIA
- IW-G34S-SM04-4L001G-E008G-BIA
- IX30G-B-10S-CV(7.0)
- IX4423N
- IXD1415AA067R-G
- IXD1415CC28MR-G
- IXD1415FFE7ER-G
- IXD1415GG22MR-G
- IXD1415GGB1MR-G
- IXD1415HH317R-G
- IXD1504A271MR-G
- IXD1504A321MR-G
- JACK-KM2-PANEL-BK(R)
- JBXEA1G04FCSDS
- JBXEP1G07FSSDS
- JBXEP2G03FSSDS
- JBXEZ1G06FPSDSR
- JBXFD0G05MSSDSMR