- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AS6C1608B-55TINTR
16Mb低功耗CMOS SRAM
- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS6C1608B-55TINTR
- 商品编号
- C20717731
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | - | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
AS6C1608B是一款16,777,216位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，按2,097,152字×8位方式组织。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定。该产品专为超低功耗系统应用而设计，特别适合用于电池备份非易失性存储器应用。AS6C1608B采用2.7V至3.6V单电源供电，所有输入和输出均与TTL完全兼容。
商品特性
- 快速访问时间：45ns
- 低功耗：工作电流12mA（典型值），待机电流5μA（典型值）
- 单2.7V ~ 3.6V电源供电
- 所有输入和输出与TTL兼容
- 全静态操作
- 三态输出
- 数据保持电压：1.5V（最小值）
- 封装：44引脚400密耳TSOP - II、48球6mm×8mm TFBGA
应用领域
- 低功耗系统
- 电池备份非易失性存储器