商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 20mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
商品概述
硅PNP外延平面型，用于低频高击穿电压放大。
商品特性
- 高集电极 - 发射极电压（基极开路）VCEO
- 低噪声电压NV
- S-Mini型封装，可实现设备的小型化和薄型化，并能通过卷带包装实现自动插装
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
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| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V |
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|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 20mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
硅PNP外延平面型，用于低频高击穿电压放大。