商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件,适用于广泛的应用领域。产品阵容广泛,涵盖紧凑型、高功率型和复合型,以满足市场的各种需求。
商品特性
- 低压1.5V驱动型P沟道MOSFET
应用领域
- DC/DC电源

