MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K
149球NAND闪存与LPDDR4/LPDDR4X多芯片封装
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K
- 商品编号
- C20685147
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 美光NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X组件
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 独立的NAND闪存和LPDDR4/LPDDR4X接口
- 节省空间的多芯片封装（MCP）
- 低电压操作
- 工业温度范围：-40℃至+85℃
- 组织
- 页面大小x8：4352字节（4096 + 256字节）
- 块大小：64页
- 平面数量：1
- VCC = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- 超低电压核心和I/O电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.1V
- VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V 或 LowVDDO = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V
- 频率范围：2133 - 10 MHz（数据速率范围：4266 - 20 Mb/s/引脚）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，用于并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
- 针对并发存储体操作和易于命令调度的按存储体定向刷新
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 可编程VSS（ODT）终端
- MT29V5D7GVESL-046I.216 TR
- MT29VZZZCD9GUKPR-046 W.215
- MT44K64M18RB-107E:A
- MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR
- MT53E256M32D1KS-046 AUT:L TR
- MT60B4G4HB-56B:G
- MT62F1536M64D8CL-031 WT:B TR
- MT62F1G64D4EK-023 AAT:C
- MT62F2G32D4DS-026 WT:C TR
- MTFC256GAZAOTD-AAT TR
- MTFC32GAZAOTD-AIT TR
- MTG7-001I-XQD00-NW-BEE5
- MTG7-002S-MLC00-CW-00DZ
- MTMS-113-60-G-D-555
- MURSD1640CTA-TP
- MURTA20060
- MURTA40040R
- MV-4613
- MV-467
- MV14BCX-BOTTLE
- MVB-255-D