- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49RL18640-093FBLI
1.15Gb:X18,x36 RLDRAM 3
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49RL18640-093FBLI
- 商品编号
- C20660672
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 1200 MHz DDR 操作（2400 Mb/s/球数据速率）
- 组织：64 Meg x 18 和 32 Meg x 36 通用 I/O（CIO），16 个存储体
- 1.2V 中心端接推挽 I/O
- 2.5V V_EXT，1.35V V_DD，1.2V V_DDQ（仅 2400 操作时可选 1.35V V_DDQ）
- 减少的周期时间（t_RC（最小值）= 6.67 - 8ns）
- SDR 寻址
- 可编程读写延迟（RL/WL）和突发长度
- 写命令的数据掩码
- 差分输入时钟（CK，CK#）
- 自由运行的差分输入数据时钟（DKx，DKx#）和输出数据时钟（QKx，QKx#）
- 片上 DLL 生成 CK 边沿对齐的数据和差分输出数据时钟信号
- 64ms 刷新（每 64ms 128K 刷新）
- 168 球 FBGA 封装
- 40Ω 或 60Ω 匹配阻抗输出
- 集成片上终端（ODT）
- 单存储体或多存储体写入
- 扩展工作范围（200 - 1200 MHz）
- 读训练寄存器
- 复用和非复用寻址能力
- 镜像功能
- 输出驱动器和 ODT 校准
- 封装后修复 - 每半个存储体 1 行
- JTAG 接口（IEEE 1149.1 - 2001）
- ISL28133CSENSEV1Z
- ISL32600EFBZ-T
- ITA-1610-S0A1E
- IW-G24D-CU2F-4E002G-S008G-LCK
- IW-G33D-SCMQ-4L002G-E008G-ACI
- IXD1415AA53ER-G
- IXD1415BB66ER-G
- IXD1415CC16MR-G
- IXD1415EE16MR-G
- IXD1415GG45MR-G
- IXD1421AB07ER-G
- J100-KIT
- JBXEA1G08FCNDS
- JBXEA3G07FCSDS
- JBXEP2G19FCSDS
- JBXER0G02MCSDSR
- JBXFC0G02MSSDSR
- JBXFC2G18MCSDSR
- JBXFC3G30MCSDSMR
- JBXFD0G02FCSDSMR
- JBXFD1G06FCSDSR