CY15V104QSN-108BFXI

EXCELON Ultra CY15x104QSN 是一种高性能、4兆位非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性的，读写操作类似于 RAM。它提供可靠的数据保留，长达151年，同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同，CY15x104QSN 以总线速度执行写操作。没有写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入内存阵列。下一个总线周期可以开始，无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供显著的写耐久性。CY15x104QSN 能够支持10^14次读写周期，比EEPROM多1亿次写周期。这些能力使 CY15x104QSN 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。示例范围从数据收集（写周期数可能关键）到要求苛刻的工业控制（串行闪存的长时间写入可能导致数据丢失）。CY15x104QSN 将4兆位 F-RAM 与高速四线 SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相结合，增强了 F-RAM 技术的非易失性写能力。该器件包含只读设备 ID 和 ID 功能，允许 SPI 总线主控制器确定制造商、产品密度、产品修订版和每个部件的 ID。该器件还提供的序列号，该序列号是只读的，可用于识别板卡或系统。该器件支持片上 ECC 逻辑，可以检测和纠正每个8字节单元数据中的1位错误。该器件还扩展了报告8字节单元数据中2位错误的能力。CY15x104QSN 还支持循环冗余检查 (CRC) 功能，可用于检查内存阵列中存储数据的数据完整性。

• 4兆位铁电随机存取存储器 (F-RAM)，逻辑组织为512K × 8
• 几乎无限的耐久性，达100万亿 (10^14) 次读写周期
• 151年数据保留
• 即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 单和多 I/O 串行外设接口 (SPI)
• 串行总线接口 SPI 协议
• 支持所有 SDR 模式传输的 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1)
• 支持所有 DDR 模式传输的 SPI 模式 0 (0, 0)
• 扩展 I/O SPI 协议
• 双 SPI (DPI) 协议
• 四线 SPI (QPI) 协议
• SPI 时钟频率
• 高达108 MHz 频率的 SPI 单数据速率 (SDR)
• 高达54 MHz 频率的 SPI 双数据速率 (DDR)
• 用于内存读写的就地执行 (XIP)
• 写保护、数据安全性和数据完整性
• 使用写保护 (WP) 引脚的硬件保护
• 软件块保护
• 嵌入式错误纠正码 (ECC) 和循环冗余检查 (CRC) 以增强数据完整性
• ECC 检测并纠正1位错误。如果发生2位错误，不纠正但通过 ECC 状态寄存器报告
• CRC 检测原始数据的任何意外更改
• 扩展电子签名
• 设备 ID 包括制造商 ID 和产品 ID
• ID
• 用户可编程序列号
• 专用256字节特殊扇区 F-RAM
• 专用特殊扇区写入和读取
• 内容可承受多达三次标准回流焊周期
• 高速下的低功耗消耗
• 108 MHz SPI SDR 的典型活动电流为10 mA
• 108 MHz QSPI SDR 和54 MHz QSPI DDR 的典型活动电流为16 mA
• 典型待机电流为110 μA
• 典型深度掉电模式电流为0.80 μA
• 典型休眠模式电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V104QSN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B104QSN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
• 工作温度：-40°C 至 +85°C
• 封装
• 8引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
• 8引脚网格阵列四平无引线 (GQFN) 封装 (NRND)
• 8引脚超薄细间距 land grid array (UFLGA) 封装
• 符合有害物质限制 (RoHS)