商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术。
- 超低栅极电荷。
- 出色的cdv/dt效应衰减。
- 有环保器件可供选择。
- 100%保证EAS。
- 封装：PDFN |3.3×3.3| SPR - PAK标准封装，模塑塑料。
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