温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | - | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 死区时间控制 |
商品概述
BS2103F是一款单片高低侧栅极驱动IC，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。逻辑输入可使用3.3V和5.0V。欠压锁定（UVLO）电路可防止当VCC和VBS低于指定阈值电压时出现故障。
商品特性
- 用于自举操作的浮动通道，最高可达+600V
- 栅极驱动电源范围为10V至18V
- 两个通道均内置欠压锁定功能
- 与3.3V和5.0V输入逻辑兼容
- 两个通道的传播延迟匹配
- 输出与输入同相
应用领域
- MOSFET和IGBT高端驱动应用