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LWN3016AD5D
N+N沟道功率MOSFET
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- 描述
- LWN3016AD5D采用沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)，适用于多种应用场景。其封装形式为PDFN5x6-8L，符合ROHS标准和无卤标准。
- 商品型号
- LWN3016AD5D
- 商品编号
- C20630386
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 758pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 输出电容(Coss) | 111pF |
商品概述
LWN3016AD5D采用沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。封装形式为PDFN5*6-8L，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
~~- 快速开关-低栅极电荷和导通电阻RDS(ON)-低反向传输电容
应用领域
- 直流-直流转换器-便携式设备-电源管理