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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UT3415G-AE3-R

P沟道功率MOSFET

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描述
P沟道MOS场效应晶体管采用先进技术,可实现高开关速度和最低导通电阻,适用于高压开关应用。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
UT3415G-AE3-R
商品编号
C20623826
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.038667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@1.5V
耗散功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)170pF
类型P沟道
输出电容(Coss)200pF

数据手册PDF