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UT3415G-AE3-R
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- P沟道MOS场效应晶体管采用先进技术，可实现高开关速度和最低导通电阻，适用于高压开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UT3415G-AE3-R
- 商品编号
- C20623826
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
UTC UT3415是一款P沟道MOS场效应晶体管。它采用UTC的先进技术，为客户提供高开关速度和最小导通电阻。UTC UT3415适用于高压开关应用。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -4.0 A 时,RDS(ON) \leq 45 m Ω
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -4.0 A 时,RDS(ON) \leq 62 m Ω
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -2.0 A 时,RDS(ON) \leq 84 m Ω
- 在 VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A 时,RDS(ON) \leq 105 m Ω
- 高开关速度
- 低输入电容
- SOT - 23 (EIAJ SC - 59)
- SOT - 26
- SOP - 8