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BDR6307B
600V高压半桥驱动芯片
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- 描述
- BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。
- 品牌名称
- 巴丁微
- 商品型号
- BDR6307B
- 商品编号
- C20622848
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 10uA |
商品概述
BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。
商品特性
- 高端悬浮自举电路耐压高于600V
- 栅极电源范围从4.8V~20V
- 逻辑电平兼容3.3V、5V 和15V
- 输出传输延时匹配
- 内置欠压保护
- 内建死区控制电路，典型死区时间500ns
- 封装：SOP8
应用领域
- 半桥驱动
- 三相直流无刷电机驱动
- 风筒、水泵、电动车等控制器
- 高压功放等
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
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