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AO4407AL
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A 停产
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。符合RoHS和无卤标准。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4407AL
- 商品编号
- C20613356
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具有出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 符合RoHS和无卤要求
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- 绿色产品
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制（PWM）应用
- 电源管理
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