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BM8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 极低导通电阻RDS(ON)；采用高密度单元设计，实现超低Rdson；具备完整雪崩电压和电流特性；采用SOT23 - 6L表面贴装封装。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM8205
- 商品编号
- C20612283
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |