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IRF640N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 漏源电压（V） = 30 V
- 漏极电流 = 80 A（栅源电压 = 10 V）
- 导通电阻 < 1.9 mΩ（栅源电压 = 10 V）
- 导通电阻 < 2.2 mΩ（栅源电压 = 4.5 V）
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 非钳位感性开关能力（单脉冲和重复脉冲）
- TO - 263封装
应用领域
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- 直流 - 直流转换器