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MT53E2G64D8TN-046 AUT:C

LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM 超低电压核心与 I/O 电源、宽频率范围

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	1.06V~1.17V
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作，并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将该产品用作LPDDR4设备时，请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
超低电压核心和I/O电源
VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
VDDO = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
频率范围：2133 - 10MHz（每引脚数据速率范围：4266 - 20Mb/s）
16n预取DDR架构
每个通道有8个内部存储体用于并发操作
单数据速率CMD/ADR输入
每个字节通道有双向/差分数据选通
可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
针对每个存储体的定向刷新，以实现并发存储体操作和轻松的命令调度
每个裸片x16通道最高可达8.5GB/s
片上温度传感器用于控制自刷新速率
部分阵列自刷新（PASR）
可选输出驱动强度（DS）
时钟停止功能
符合RoHS标准的“绿色”封装
可编程的VSS（ODT）终端
支持单端CK和DQS