- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E2G64D8TN-046 AUT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM 超低电压核心与 I/O 电源、宽频率范围
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT53E2G64D8TN-046 AUT:C
- 商品编号
- C20595828
- 商品封装
- 556-LFBGA (12.4x12.4)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 128Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.06V~1.17V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心和输入/输出电源供应
- 核心电压VDD1为1.70至1.95伏，标称1.80伏
- 辅助电压VDD2为1.06至1.17伏，标称1.10伏
- 输入/输出电压VDDQ为0.57至0.65伏，标称0.60伏，或为1.06至1.17伏，标称1.10伏
- 频率范围为2133至10兆赫兹
- 采用16倍预取双倍数据速率架构
- 每个通道具有8个内部存储体以支持并发操作
- 采用单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道配备双向/差分数据选通信号
- 可编程的读取和写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 每通道最高数据传输速率可达每秒8.5吉字节
- 集成温度传感器以控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新功能
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合有害物质限制指令的环保封装
- 可编程的接地参考电压端接
- 支持单端时钟和数据选通信号
- 阵列配置为1吉比特乘64位或2吉比特乘64位
- 采用细间距球栅阵列封装
- 速度等级对应周期时间为468皮秒
- 符合汽车电子委员会标准
- 支持生产件批准程序
- 工作温度范围为-40摄氏度至+125摄氏度
- GTC030A24-28SY-025-B30-LC
- 2149992-1
- GTC06LCFZ32-15SW-025-RDS-LC
- FCQ38999/20ZF35SCMIL-STD-461
- GTCL030-32-AFP-025-B30-LC
- FCQ38999/25YD97PCMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZJ4BBMIL-STD-461
- GTC01-20-21SY-LC
- TUHW-V88W-930-Q(S)
- 43R03-3122-250
- FCQ38999/20TH55SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24JD5HAMIL-STD-461
- FCQ38999/20MA35SBMIL-STD-461
- FCQ38999/26FG75PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26FG35PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZD18SAMIL-STD-461
- UW-09-515-S(S)D
- MT53E2G64D8TN-046 WT:C TR
- 1375800-4
- GTC06-16-10S-023-RDS-LC
- ACC06E18-22S-025-B30-LC