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MT53E2G64D8TN-046 WT:C引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E2G64D8TN-046 WT:C

LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM

品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E2G64D8TN-046 WT:C
商品编号
C20595213
商品封装
LFBGA-556(12.4x12.4)​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量128Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度-25℃~+85℃
功能特性写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

商品特性

  • 超低电压核心和I/O电源供应
  • VDD1 = 1.70 - 1.95 V；1.80 V 标称
  • VDD2 = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称
  • VDDQ = 0.57 - 0.65 V；0.60 V 标称 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称
  • 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
  • 16n预取DDR架构
  • 每个通道8个内部存储体用于并发操作
  • 单数据率CMD/ADR输入
  • 每个字节通道的双向/差分数据选通
  • 可编程读写延迟（RL/WL）
  • 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
  • 定向每存储体刷新，用于并发存储体操作和简化命令调度
  • 每芯片x16通道高达8.5 GB/s
  • 片上温度传感器用于控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新（PASR）
  • 可选输出驱动强度（DS）
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准，“绿色”封装
  • 可编程VSS（ODT）终端
  • 支持单端CK和DQS

数据手册PDF

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