商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 160V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 湿度敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 硅基氮化镓高电子迁移率晶体管耗尽型放大器
- 适用于线性和饱和应用
- 可在直流至2.5 GHz范围内调谐
- 48 V工作电压
- 在2.5 GHz时增益为16.5 dB
- 在2.5 GHz时漏极效率为55%
- 100%射频测试
- TO-272封装
- 符合RoHS标准,兼容260°C回流焊
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
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