商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 160V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
NPT2021硅基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)耗尽型(D-Mode)放大器针对直流至2.5 GHz工作频率进行了优化。该器件支持连续波(CW)、脉冲和线性工作模式,采用带螺栓固定法兰的行业标准塑料封装,输出功率可达45 W。
商品特性
- 硅基氮化镓高电子迁移率晶体管耗尽型放大器
- 适用于线性和饱和应用
- 可在直流至2.5 GHz范围内调谐
- 48 V工作电压
- 在2.5 GHz时增益为16.5 dB
- 在2.5 GHz时漏极效率为55%
- 100%射频测试
- TO-272封装
- 符合RoHS标准,兼容260°C回流焊
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
其他推荐
- GTC030RV20-18S-RDS-LC
- ACC05A32-6P-003-LC
- BTH1-23-12-1-B
- LNJ426W83RA
- FCQ38999/20KB98PBMIL-STD-461
- FCQ38999/24WC35SBMIL-STD-461
- FCQ38999/26WJ19PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZG35SEMIL-STD-461
- ACC02A36-78PZ-003-B30-LC
- FCQ38999/20ZA98PBMIL-STD-461
- MCR18ERTF12R4
- FCQ38999/24SA35SBMIL-STD-461
- FCQ38999/26TA98PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26KJ7BBMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZB2SCMIL-STD-461
- MKP1T012703C00JH00
- FCQ38999/25YC98PCMIL-STD-461
- FCQ38999/24WF32SDMIL-STD-461
- FCQ38999/20TD4PBMIL-STD-461
- 335052-E
- GTC06LCF32-31SW-025-B30-LC