商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品特性
- 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 为笔记本电脑DC/DC转换器优化的技术
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道
- 逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 优异的热阻
- 雪崩额定
- 无铅镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 机顶盒-低电流DC/DC
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