TC58CVG1S3HRAIG

串行接口NAND闪存

品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TC58CVG1S3HRAIG
商品编号: C20590728
商品封装: 8-WSON (6x8)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	35uA
	擦写寿命	-
	功能特性	坏块管理功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存

商品概述

TC58CVG1S3HRAIG是一款用于嵌入式应用的串行接口NAND闪存，支持SPI接口。该器件的组织形式为(2048 + 64)字节×64页×2048块。它有一个2112字节的数据缓冲区，允许以2112字节为增量在缓冲区和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单个块为单位执行（128千字节 + 4千字节：2112字节×64页）。该器件在顺序页读取操作中具有高速模式。当启用高速模式时，t_R的平均值会缩短。TC58CVG1S3HRAIG芯片上有ECC逻辑，每个(512字节 + 16字节)的8位读取错误可以被纠正。内部ECC逻辑有详细的位翻转计数报告。

商品特性

支持SPI接口
组织形式为(2048 + 64)字节×64页×2048块
有2112字节数据缓冲区
擦除操作以单个块为单位
顺序页读取操作有高速模式
芯片上有ECC逻辑，可纠正每个(512字节 + 16字节)的8位读取错误
内部ECC逻辑有详细的位翻转计数报告

应用领域

嵌入式应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	2Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	360us