商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品概述
- 最新先进沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 符合RoHS 2.0标准且无卤
商品特性
- 碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管技术
- 输入匹配
- 典型脉冲连续波性能，2605 MHz，48 V，组合输出，脉冲宽度16 μs，占空比10%
- P₃dB时输出功率 = 250 W
- 效率 = 62%
- 增益 = 14.4 dB
- 能承受10:1的电压驻波比（VSWR），条件为48 V、38 W（连续波）输出功率
- 人体模型1A级（符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准）
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池充放电保护
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