IS42S32800D-75EB-TR

8M x 32 256Mb 同步动态随机存取存储器

品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS42S32800D-75EB-TR
商品编号: C20587045
商品封装: 90-TFBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz

	属性	参数值
	工作电压	3V~3.6V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成
	工作温度	-40℃~+105℃

商品概述

ISSI的256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该256Mb SDRAM由2兆×32位×4个存储体组成。它是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ的内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个67,108,864位的存储体由4,096行×512列×32位组成。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存，所有输入和输出都与LVTTL兼容。它能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能后，在突发序列结束时会启动自定时行预充电。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电，可以隐藏预充电周期，实现无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列连续访问编程数量的位置。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A11选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

商品特性

时钟频率：166、143 MHz
完全同步；所有信号参考正时钟沿
内部存储体用于隐藏行访问/预充电
单电源：3.3V ± 0.3V，LVTTL接口
可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
可编程突发序列：顺序/交错
自动刷新（CBR）
自刷新
每16ms（A2级）或64ms（商业级、工业级、A1级）进行4096次刷新周期
每个时钟周期随机列地址
可编程CAS（上划线）延迟（2、3个时钟）
突发读/写和突发读/单写操作能力
通过突发停止和预充电命令终止突发

数据手册PDF

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