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AT25QL641-MHE-T

SPI串行闪存，支持双I/O、四I/O、QPI

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

单1.7V - 2.0V电源
64兆位（8 x 8兆位）闪存
兼容串行外设接口（SPI）和四方外设接口（QPI），支持SPI模式0和3，支持双输出读取以及四方I/O编程和读取，支持QPI编程和读取，最高工作频率133MHz
时钟到输出（tV1）为6纳秒
高达66MB/s的连续数据传输速率
四方启用（工厂默认设置：见第7.7节），全芯片擦除
针对代码和数据存储应用的灵活、优化的擦除架构
典型页面编程（256字节）时间为0.6毫秒
典型4千字节块擦除时间为60毫秒
典型32千字节块擦除时间为200毫秒
典型64千字节块擦除时间为350毫秒
通过WP（上划线）引脚对状态寄存器进行硬件控制锁定
4千位安全一次性可编程（OTP）安全寄存器
硬件写保护
串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器
灵活编程，包括字节/页面编程（1至256字节）、双输入或四方输入字节/页面编程（1至256字节）
擦除/编程暂停和恢复
JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
低功耗，典型深度掉电（DPD）电流为2微安，典型待机电流为10微安，典型主动读取电流为5毫安
耐用性：100,000次编程/擦除周期（4千字节、32千字节或64千字节块），数据保留时间20年
工业温度范围：-40°C至+85°C
行业标准绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项，包括8焊盘DFN（6 x 5 x 0.6毫米）、8引脚208密耳SOIC、8球WLCSP